Siirry päänavigointiin Siirry hakuun Siirry pääsisältöön

Temperature dependence of carrier relaxation in strain-induced quantum dot

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArtikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

AlkuperäiskieliEnglanti
JulkaisuPhysical Review B
Vuosikerta58
Numero24
TilaJulkaistu - 1998
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Viittausmuodot