Simulation of double injection in a bulk heterojunction material using the Gaussian disorder model

F. Jansson*, R. Österbacka

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliKonferenssiartikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

Abstrakti

Charge transport in a bulk heterojunction solar cell is simulated with a hopping model. Several charge carriers are simulated simultaneously, taking the Coulomb interaction between them and the recombination into account. The model is used to simulate a double injection experiment. Current transients are calculated for different applied voltages and for different recombination rates across the interface and compared to measured transients.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut755-758
Sivumäärä4
JulkaisuPhysica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
Vuosikerta5
Numero3
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2008
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
Tapahtuma12th International Conference on Transport in Interacting Disordered Systems, TIDS 12 - Marburg, Germany
Kesto: 6 elokuuta 200710 elokuuta 2007

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Simulation of double injection in a bulk heterojunction material using the Gaussian disorder model'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Viittausmuodot