Influence of high-pressure annealing on memory properties of Hf0.5Zr0.5O2 Based 1T-FeRAM

Jae Seok Yoon, Amit Tewari, Changhwan Shin, Sanghun Jeon

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArtikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

12 Sitaatiot (Scopus)

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Influence of high-pressure annealing on memory properties of Hf0.5Zr0.5O2 Based 1T-FeRAM'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Keyphrases

Material Science

Engineering