A ring oscillator based on HIFETs

J. Koskela*, A. Kilpelä, N. Björklund, R. Österbacka

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArtikkeliTieteellinenvertaisarvioitu

    3 Sitaatiot (Scopus)

    Abstrakti

    A hygroscopic insulator field-effect transistor (HIFET) ring oscillator with three inverters was built and tested under ambient laboratory conditions. An operating voltage of -2 V was used, yielding a peak-to-peak output voltage of 1.1 V and an oscillation frequency of 28 mHz. For Spice (simulation program with integrated circuit emphasis) simulation of the HIFET circuits the measured HIFET output characteristics were fitted to a DC (direct current) model and additional measurements were made to find the magnitude of the capacitive and resistive elements in the HIFET gate structure. The results indicated that HIFETs have a good potential for use in amplifier and sensor circuit applications where high operation speed is not crucial.

    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut84-89
    Sivumäärä6
    JulkaisuOrganic Electronics
    Vuosikerta13
    Numero1
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - tammikuuta 2012
    OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Sormenjälki

    Sukella tutkimusaiheisiin 'A ring oscillator based on HIFETs'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

    Viittausmuodot